特許

J-GLOBAL ID：202403021126156308

二酸化バナジウム薄膜の製造方法及び二酸化バナジウム薄膜形成用原料溶液

発明者： 和田 英男 ,  小池 一歩 ,  扶川 泰斗 ,  河原 正美
出願人/特許権者： 学校法人常翔学園 ,  株式会社高純度化学研究所
代理人 (2件)： 木下 茂 ,  澤田 優子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2022-165164
公開番号（公開出願番号）：特開2024-058048
出願日： 2022年10月14日
公開日（公表日）： 2024年04月25日
要約：

【課題】500°C以下の焼成温度で化学量論組成を有する二酸化バナジウム薄膜を形成することができ、汎用ガラスなどの低融点材料に成膜可能な二酸化バナジウム薄膜の製造方法を提供する。 【解決手段】二酸化バナジウム前駆体に、炭素数2~10のカルボン酸及び炭素数5~11のβ-ジケトンからなる群より選択される少なくとも一種の安定化剤、及び、溶剤を添加して二酸化バナジウム薄膜形成用原料溶液を調製する工程1と、前記二酸化バナジウム薄膜形成用原料溶液を基材上に塗布して膜を形成し、不活性雰囲気下に250~350°Cで仮焼成を行う工程2と、前記工程2に続いて、水素と不活性ガスとの混合ガス雰囲気下に、450~650°Cで本焼成を行う工程3とを有する二酸化バナジウム薄膜の製造方法。 【選択図】なし

請求項（抜粋）：

二酸化バナジウム前駆体に、炭素数2~10のカルボン酸及び炭素数5~11のβ-ジケトンからなる群より選択される少なくとも一種の安定化剤、及び、溶剤を添加して二酸化バナジウム薄膜形成用原料溶液を調製する工程1と 前記二酸化バナジウム薄膜形成用原料溶液を基材上に塗布して膜を形成し、不活性雰囲気下に250~350°Cで仮焼成を行う工程2と 前記工程2に続いて、水素と不活性ガスとの混合ガス雰囲気下に、450~650°Cで本焼成を行う工程3とを有する二酸化バナジウム薄膜の製造方法。

IPC (2件)：

C01G 31/02 ,  C01G 31/00

FI (2件)：

C01G31/02 ,  C01G31/00

Fターム (7件)：

4G048AA02 ,  4G048AA03 ,  4G048AB01 ,  4G048AC08 ,  4G048AD02 ,  4G048AD06 ,  4G048AE08

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 二酸化バナジウム薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2019-041121   出願人：株式会社高純度化学研究所