研課題
J-GLOBAL ID：202404001301019001
研究課題コード：23837311
III-V族化合物半導体ナノ選択成長技術の確立とナノフォトニクス応用
体系的課題番号：JPMJAP2343
実施期間：2023 - 2026
実施機関 (1件)：
研究代表者：
(
, 情報科学研究院, 准教授 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJAP2343
研究概要：
本研究は半導体材料結晶成長学分野における未踏領域であるシリコン上の構造相転移材料系材料のナノ選択成長技術を確立することで、将来のチップ内光配線技術や高度な小型ナノ分光測定技術などの次世代ナノフォトニクスにおける高輝度・高機能ナノ光源の基盤技術の創出を目的とする。具体的には、日本側チームはシリコン基板上の構造相転移ナノワイヤ材料のナノ選択成長技術の伝導形制御手法とナノ光源素子のデバイス開発を行い、相手側チームはシリコン基板上の構造相転移ナノ構造に関するナノ選択成長技術とともに成長材料の光学的特性・物性の評価を行う。
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半導体
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