リレー用シリコンスーパージャンクションバイポーラトランジスタの開発

体系的課題番号：JPMJSF23CU
実施期間：2023 - 2024
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 大学院総合研究部, 教授 )
DOI： https://doi.org/10.52926/JPMJSF23CU
研究概要：

研究代表者らが既に開発した650V級、特性オン抵抗2.2mΩcm^2の超低オン抵抗を有するSiスーパージャンクション型のバイポーラトランジスタ(Si-SJBJT)を用い、世界初のヒートシンクレスソリッドステートリレー(25A、240V定格)を実現する可能性判断のための、同トランジスタのヒートシンクレス条件での通電試験を行う。

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研究制度：＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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