研課題
J-GLOBAL ID：202404008298685954
研究課題コード：23814544
3次元磁性細線メモリ
体系的課題番号：JPMJTR23R4
実施期間：2023 - 2025
実施機関 (1件)：
研究責任者：
(
, 工学院 電気電子系, 准教授 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJTR23R4
研究概要：
3次元磁性細線メモリは、隣あう磁区間の磁壁を移動させることにより、磁区(ビット)を空間的に移動させ、一つのリーダーとライター素子で100~1000ビットを読み出しと書き込みができるため、現在普及している3次元NANDフラッシュメモリを凌駕する次世代メモリである。本研究は、3次元磁性細線メモリの3次元堆積手法を確立し、3次元磁性多層膜における垂直磁気異方性を実現するとともに、その磁気異方性磁界を局所的に制御することによって、ビットシフトエラー抑制技術を確立する。さらに、スピン軌道トルク(SOT)方式による超高速かつ超電流駆動の3次元磁性細線の技術を開発する。
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