研課題
J-GLOBAL ID:202404011432214310
研究課題コード:23827256
高導電率なホスホン化自己ドープ型導電性高分子の開発
体系的課題番号:JPMJSF23D0
実施期間:2023 - 2024
実施機関 (1件):
研究代表者:
(
, 大学院理学研究科, 教授 )
DOI:
https://doi.org/10.52926/JPMJSF23D0
研究概要:
プリンタブルエレクトロニクスにおける電子回路作製等において、水溶性の自己ドープ型導電性高分子は有望な材料である。本材料がこの用途で広く活用されるためには、さらなる高導電性が求められる。本研究では、分子の高い対称性により製膜時に密な集合を可能とする分子設計に基づき、高導電率な自己ドープ型導電性高分子を開発する。
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