狭ギャップ二次元材料の大面積プロセスと中赤外光デバイス応用

体系的課題番号：JPMJPR23H7
実施期間：2023 - 2026
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 電気工学・コンピュータ科学科, 特任主任研究員 )
DOI： https://doi.org/10.52926/JPMJPR23H7
研究概要：

中赤外光の活用は、ガスセンシングやナイトビジョンなどに応用が可能であり、防災・セキュリティ、ビルメンテナンス、自動車などの分野で需要が高まっています。本研究では、狭ギャップ二次元半導体の優れた光学特性に着目し、材料・プロセス開発、および中赤外光デバイスの高性能化を目指します。マイクロスケールでの単一デバイス動作にとどまらず、チップスケールからウェハサイズでの大面積化・集積化に挑みます。

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研究制度：＞＞
上位研究課題：新原理デバイス創成のためのナノマテリアル
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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