研課題
J-GLOBAL ID：202404014414559872
研究課題コード：23837158
トポロジカル物質に基づく革新的量子エレクトロニクスの創成
体系的課題番号：JPMJAP2317
実施期間：2023 - 2028
実施機関 (1件)：
研究代表者：
(
, 大学院理学系研究科(理学部), 教授 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJAP2317
研究概要：
トポロジカル反強磁性体(TAF)は、高速かつ低消費電力な制御を可能とすることから次世代メモリ材料として大きく注目されている。本研究はその典型例Mn3Snを含むTAFの多層膜を作製し、トポロジカル状態の電流制御により、超高速低消費電力不揮発性メモリを開発する。日本側チームは心臓部のTAFの開発、及びメモリ素子の開発を行い、相手側チームはTAFの磁気及び電子構造とそのダイナミクスの評価、及びメモリ素子のウエハ上での構築を行う。両国チームの強みを生かした研究を通して基礎研究での優位性を確保しつつ、今後、急速な進展が予想される応用研究でも優位なポジションを得ることが期待される。また、頭脳循環の促進のため助教あるいは准教授になる頃まで海外に派遣する移籍型渡航を通して若手育成プラットフォームを構築する。
タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した研究課題タイトルの用語をもとにしたキーワードです
,
,
研究制度：
＞
＞
上位研究課題：
量子
研究所管機関：
前のページに戻る
