研課題
J-GLOBAL ID：202404019016877858
研究課題コード：23829349
超低電圧動作WSe2 CMOS集積回路の基盤創生
体系的課題番号：JPMJPR23H1
実施期間：2023 - 2026
実施機関 (1件)：
研究代表者：
(
, 科学技術創成研究院, 助教 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJPR23H1
研究概要：
本研究では、二セレン化タングステン(WSe2)を用いた超低電圧動作CMOS集積回路の基盤技術を確立します。特にWSe2チャネルを上下のゲートスタックで挟み込んだダブルゲート動作、ノンドープWSe2チャネルによるn/p FETsの実現及び独自の自己整合プロセスによる超低電圧WSe2 CMOSデバイスを実現します。そしてチップレベルの超低電圧動作WSe2 CMOS集積回路への応用展開を目指します。
タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
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上位研究課題：
新原理デバイス創成のためのナノマテリアル
研究所管機関：
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