二次元物質における超高密度キャリア制御

体系的課題番号：JPMJCR23A4
実施期間：2023 - 2028
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 大学院工学研究科, 教授 )
DOI： https://doi.org/10.52926/JPMJCR23A4
研究概要：

遷移金属カルコゲン化合物を中心に二次元物質の単層膜および面内・積層ヘテロ構造における高密度なキャリアの局所的・タイプ選択的ドーピング技術を確立します。本技術を基盤として、二次元物質における金属/半導体接合およびPN接合に関する学理の構築と、界面制御技術・学理に基づく機能性素子の実現を目指します。

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研究制度：＞＞
上位研究課題：ナノ物質を用いた半導体デバイス構造の活用基盤技術
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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