3次元集積CFETに向けた次世代材料素子技術基盤の構築

体系的課題番号：JPMJPR24H2
実施期間：2024 - 2027
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 大学院工学研究院, 助教 )
DOI： https://doi.org/10.52926/JPMJPR24H2
研究概要：

新チャネル材料CFETの実現に向けた、Geや二次元材料半導体及びその積層構造を用いた3次元集積CMOSを開発し、高品質GeとMoS2 MOS界面形成技術、トランスファー法による積層MoS2チャネル形成技術、3次元的に直接連接できる低抵抗SDコンタクト形成技術など、世界初となるGe pFETとMoS2 nFETを用いる3次元集積CMOSの設計および開発を成功させ、その最適構造やプロセスを明確にする。

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研究制度：＞＞
上位研究課題：新原理デバイス創成のためのナノマテリアル
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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