二次元強誘電体の自発分極制御とメモリデバイス応用

体系的課題番号：JPMJPR24H3
実施期間：2024 - 2027
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 化学研究所, 准教授 )
DOI： https://doi.org/10.52926/JPMJPR24H3
研究概要：

二次元強誘電体は、結晶格子1-2個程度の厚さ(約1ナノメートル)にまで極薄化しても自発分極を維持できるナノマテリアルです。本研究では、二次元強誘電体メンブレン結晶の材料技術を発展させ、ツイスト積層など、これまでの強誘電材料の研究では活用できなかったアプローチをも駆使して、自発分極制御により優れた特性を持つ二次元強誘電体を実現し、超低消費電力メモリデバイス開発に挑戦します。

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研究制度：＞＞
上位研究課題：新原理デバイス創成のためのナノマテリアル
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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