超高耐圧パワーデバイス用SiC エピタキシャル層成長技術の開発

体系的課題番号：JPMJAN24E1
実施期間：2024 - 2027
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 未来材料・システム研究所, 教授 )
DOI： https://doi.org/10.52926/JPMJAN24E1
研究概要：

再生可能エネルギーを世界で有効活用するためには直流送電網の普及が必須である。本研究では、その普及のキーデバイスとなる高効率低コスト超高耐圧SiCパワーデバイスに必須な結晶成長技術を確立する。具体的には、超高耐圧SiCパワーデバイスの基礎構造となる厚膜エピタキシャル層/p型ウェハ構造の新規結晶成長技術の開発、マルチモーダル物性特性評価法によるデバイス性能評価、本技術で作製した構造を用いたデバイスの作製を行う。

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研究制度：＞＞
上位研究課題：半導体
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

報告書等：

2024 年次報告書

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