パワーエレクトロニクス応用におけるSiC半導体素子の革新

体系的課題番号：JPMJAN24E5
実施期間：2024 - 2027
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 大学院工学研究科, 教授 )
研究概要：

SiCは高耐圧・低損失パワー半導体として有望である。SiCパワーMOSFETの実用化が始まったが、その性能は本来のポテンシャルから大きく乖離している。その要因は酸化膜/SiC界面欠陥に由来する低いチャネル移動度にある。本研究では、1) 計算科学および界面分析を通じた界面欠陥の解明、2) 独自プロセスによる移動度向上、3) フィンチャネルを活用した高移動度化に、日英のグループが取り組み、ゲームチェンジを起こす高性能SiC MOSFETの実現を目指す。

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研究制度：＞＞
上位研究課題：半導体
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

報告書等：

2024 年次報告書

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