研課題
J-GLOBAL ID：202504018316786952
研究課題コード：24030244
化学気相成長に基づく原子層デバイスの構築
体系的課題番号：JPMJPR24H1
実施期間：2024 - 2027
実施機関 (1件)：
研究代表者：
(
, 大学院工学研究科, 助教 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJPR24H1
研究概要：
次世代の半導体デバイス材料として、グラフェン、六方晶窒化ホウ素、遷移金属ダイカルコゲナイドなどの原子層物質が期待されています。本研究では、原子層物質の化学気相成長において、ヘテロ層成長、成長・エッチング速度制御、核生成制御等の物質合成技術を高度化し、従来の半導体プロセスと融合することで、原子層デバイスの新たな作製方針の確立を目指します。
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上位研究課題：
新原理デバイス創成のためのナノマテリアル
研究所管機関：
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