ウエハースケールvdWエピタキシーの確立と2D-CMOS集積化のためのプロセス技術の構築

体系的課題番号：JPMJCR24A3
実施期間：2024 - 2029
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 大学院工学系研究科, 教授 )
DOI： https://doi.org/10.52926/JPMJCR24A3
研究概要：

本申請では,c面サファイア基板上にN型MoS2及び,P型WSe2をvdWエピタキシーにより単結晶成膜し,CMOSインバータ動作を実証することを提案する.到達目標として,結晶性の指針である移動度50 cm2/Vs以上,CMOSインバータ動作の指標であるゲインをVDD = 1 Vにて100以上を目指す.

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研究制度：＞＞
上位研究課題：ナノ物質を用いた半導体デバイス構造の活用基盤技術
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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