文献
J-GLOBAL ID:200902000059915560
整理番号:91A0825260
0.6μm/hの成長速度によるデバイス品質のGaAsの原子層エピタクシー
Atomic layer epitaxy of device quality GaAs with a 0.6μm/h growth rate.
著者 (6件):
COLTER P C
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
HUSSIEN S A
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
DIP A
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
ERDOGAN M U
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
DUNCAN W M
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
BEDAIR S M
(North Carolina State Univ., North Carolina)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
59
号:
12
ページ:
1440-1442
発行年:
1991年09月16日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)