文献
J-GLOBAL ID:200902000186428058
整理番号:88A0544924
MOSトンネルダイオードにおける電流ゆらぎと酸化けい素の損耗
Current fluctuations and silicon oxide wear-out in metal-oxide-semiconductor tunnel diodes.
著者 (3件):
FARMER K R
(Cornell Univ., NY, USA)
,
SALETTI R
(Centro Studi per Metodi e Dispositivi per Radiotrasmissioni, Consiglio Nazionale delle Ricerche, Pisa, ITA)
,
BUHRMAN R A
(Cornell Univ., NY, USA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
52
号:
20
ページ:
1749-1751
発行年:
1988年05月16日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)