文献
J-GLOBAL ID:200902001842227575
整理番号:93A0110724
金属-絶縁体-半導体(MIS)デバイスの分り易い解析モデル
A Comprehensive Analytical Model for Metal-Insulator-Semiconductor(MIS) Devices.
著者 (2件):
DOGHISH M Y
(Univ. Alabama in Huntsville, AL)
,
HO F D
(Univ. Alabama in Huntsville, AL)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
39
号:
12
ページ:
2771-2780
発行年:
1992年12月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)