文献
J-GLOBAL ID:200902002057236331
整理番号:93A0106303
窒素ガス中のウエハ帯電の中性化
Neutralization of Wafer Charging in Nitrogen Gas.
著者 (6件):
INABA H
(Takasago Thermal Engineering Co., Ltd., Kanagawa, JPN)
,
OHMI T
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
MORITA M
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
NAKAMURA M
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
YOSHIDA T
(Takasago Thermal Engineering Co., Ltd., Kanagawa, JPN)
,
OKADA T
(Takasago Thermal Engineering Co., Ltd., Kanagawa, JPN)
資料名:
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing
(IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing)
巻:
5
号:
4
ページ:
359-367
発行年:
1992年11月
JST資料番号:
T0521A
ISSN:
0894-6507
CODEN:
ITSMED
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)