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著者 (4件)：
資料名：
巻： 1992 ページ： 469-472 発行年： 1992年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902008330912378
整理番号：93A0380431
不揮発性メモリ用の,Siイオン打込みゲートSiO2絶縁膜を備えたMOSFET
A MOSFET with Si-implanted Gate-SiO2 Insulator for Nonvolatile Memory Applications.
HORI T
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Osaka, JPN)
,
OHZONE T
(Toyama Prefectural Univ., Toyama, JPN)
,
ODAKE Y
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Osaka, JPN)
,
HIRASE J
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Osaka, JPN)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1992 ページ： 469-472 発行年： 1992年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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