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著者 (3件)：
資料名：
巻： 8 号： 6 ページ： 1260-1263 発行年： 1990年11月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902012178853619
整理番号：91A0232956
Znの事前蒸着法のGaAs/AlGaAs系ヘテロバイポーラトランジスタへの利用
A Zn predeposition technique applied to GaAs/AlGaAs heterobipolar transistors.
SHIMAMOTO Y
(Matsushita Electronics Corp., Osaka, JPN)
,
ITAKURA K
(Matsushita Electronics Corp., Osaka, JPN)
,
UEDA D
(Matsushita Electronics Corp., Osaka, JPN)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 8 号： 6 ページ： 1260-1263 発行年： 1990年11月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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