文献
J-GLOBAL ID:200902012575025714
整理番号:82A0461687
高電圧の縦方向チャネル電界効果トランジスタのための半導体
Semiconductors for high-voltage, vertical channel field effect transistors.
著者 (1件):
BALIGA B J
(General Electric Co., New York)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
53
号:
3 Pt 1
ページ:
1759-1764
発行年:
1982年03月
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)