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文献
J-GLOBAL ID:200902013268140006   整理番号:90A0200069

830nm大電力低雑音の自己整合AlGaAs/GaAs二重量子井戸レーザ

830 nm high-power low-noise self-aligned AlGaAs/GaAs double-quantum-well lasers.
著者 (6件):
ISHIKAWA S
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
NIDO M
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
ENDO K
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
KOMAZAKI I
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
FUKAGAI K
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
YUASA T
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)

資料名:
Electronics Letters  (Electronics Letters)

巻: 25  号: 20  ページ: 1398-1399  発行年: 1989年09月28日 
JST資料番号: A0887A  ISSN: 0013-5194  CODEN: ELLEAK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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