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著者 (5件)：
資料名：
巻： 61 号： 10 ページ： 1193-1195 発行年： 1992年09月07日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902013760566990
整理番号：92A0727875
埋込みサブコレタクを持つInGaAs/InPヘテロ接合バイポーラトランジスタの選択成長
Selective growth of InGaAs/InP heterojunction bipolar transistors with a buried subcollector.
FREI M R
(Bell Communications Research, New Jersey)
,
HAYES J R
(Bell Communications Research, New Jersey)
,
SONG J-I
(Bell Communications Research, New Jersey)
,
COX H M
(Bell Communications Research, New Jersey)
,
CANEAU C
(Bell Communications Research, New Jersey)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 61 号： 10 ページ： 1193-1195 発行年： 1992年09月07日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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