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著者 (4件)：
資料名：
巻： 227 号： 1/2 ページ： 24-34 発行年： 1990年03月
JST資料番号： C0129B ISSN： 0039-6028 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902014418316350
整理番号：90A0434257
昇華,相転移,ホモエピタクシー中の清浄シリコン表面における構造変態の反射電子顕微鏡研究
Reflection electron microscopy study of structural transformations on a clean silicon surface in sublimation, phase transition and homoepitaxy.
LATYSHEV A V
(Inst. Semiconductor Physics, Academy of Sciences of the USSR, Novosibirsk, SUN)
,
ASEEV A L
(Inst. Semiconductor Physics, Academy of Sciences of the USSR, Novosibirsk, SUN)
,
KRASILNIKOV A B
(Inst. Semiconductor Physics, Academy of Sciences of the USSR, Novosibirsk, SUN)
,
STENIN S I
(Inst. Semiconductor Physics, Academy of Sciences of the USSR, Novosibirsk, SUN)
資料名：
Surface Science
(Surface Science)
巻： 227 号： 1/2 ページ： 24-34 発行年： 1990年03月
JST資料番号： C0129B ISSN： 0039-6028 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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