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文献
J-GLOBAL ID:200902014507013514   整理番号:92A0500827

銅とけい素間の拡散障壁としてのタンタル 故障機構と窒素添加の効果

Tantalum as a diffusion barrier between copper and silicon: Failure mechanism and effect of nitrogen additions.
著者 (6件):
HOLLOWAY K
(IBM, New York)
FRYER P M
(IBM, New York)
CABRAL C JR
(IBM, New York)
HARPER J M E
(IBM, New York)
BAILEY P J
(IBM, New York)
KELLEHER K H
(IBM, New York)

資料名:
Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)

巻: 71  号: 11  ページ: 5433-5444  発行年: 1992年06月01日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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