文献
J-GLOBAL ID:200902015501924554
整理番号:82A0437724
シリコンの放射線欠陥クラスタにおける電荷キャリアの再結合についての統計
Statistics of charge carrier recombination at radiation defect clusters in silicon.
著者 (2件):
LUGAKOV P F
(A.N. Sevchenko Scientific Research Inst. Applied Physics Problems, USSR)
,
SHUSHA V V
(A.N. Sevchenko Scientific Research Inst. Applied Physics Problems, USSR)
資料名:
Radiation Effects
(Radiation Effects)
巻:
62
号:
3/4
ページ:
197-202
発行年:
1982年
JST資料番号:
A0224A
ISSN:
0033-7579
CODEN:
RAEFBL
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)