文献
J-GLOBAL ID:200902015574769905
整理番号:90A0294528
りん注入けい素における欠陥-りん対拡散のモデル化
Modeling of defect-phosphorus pair diffusion in phosphorus-implanted silicon.
著者 (3件):
JAEGER H U
(VEB Forschungszentrum Mikroelektronik Dresden, Dresden)
,
FEUDEL T
(VEB Forschungszentrum Mikroelektronik Dresden, Dresden)
,
ULBRICHT S
(VEB Forschungszentrum Mikroelektronik Dresden, Dresden)
資料名:
Physica Status Solidi. A. Applied Research
(Physica Status Solidi. A. Applied Research)
巻:
116
号:
2
ページ:
571-581
発行年:
1989年12月
JST資料番号:
D0774A
ISSN:
0031-8965
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)