文献
J-GLOBAL ID:200902015670658839
整理番号:85A0023107
酸素ドープしたシリコンの二次イオン収率に及ぼす酸素の影響
Oxygen effect on secondary ion yield in oxygen-doped silicon.
著者 (3件):
HOMMA Y
(Musashino Electrical Communication Lab., Tokyo)
,
TANAKA H
(Musashino Electrical Communication Lab., Tokyo)
,
ISHII Y
(Musashino Electrical Communication Lab., Tokyo)
資料名:
Secondary Ion Mass Spectrometry
(Secondary Ion Mass Spectrometry)
ページ:
98-100
発行年:
1984年
JST資料番号:
K19840471
ISBN:
0-387-13316-X
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)