文献
J-GLOBAL ID:200902015855755288
整理番号:93A0332158
炭化けい素JFETの放射線に対する応答
Silicon Carbide JFET Radiation Response.
著者 (7件):
MCGARRITY J M
(Harry Diamond Lab., MD)
,
MCLEAN F B
(Harry Diamond Lab., MD)
,
DELANCEY W M
(Harry Diamond Lab., MD)
,
PALMOUR J
(Cree Research, Inc., NC)
,
CARTER C
(Cree Research, Inc., NC)
,
EDMOND J
(Cree Research, Inc., NC)
,
OAKLEY R E
(Booz・Allen & Hamilton, Inc., MD)
資料名:
IEEE Transactions on Nuclear Science
(IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻:
39
号:
6 Pt 1
ページ:
1974-1981
発行年:
1992年12月
JST資料番号:
C0235A
ISSN:
0018-9499
CODEN:
IETNAE
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)