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著者 (8件)：
資料名：
巻： 1 号： 1 ページ： 6-9 発行年： 1983年01月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902015894308825
整理番号：83A0199778
けい化物形成初期段階の原子プローブ研究 I W-Si系
Atom-probe study of the early stage of silicide formation. I. W - Si system.
NISHIKAWA O
(Tokyo Inst. Technology, Yokohama)
,
TSUNASHIMA Y
(Tokyo Inst. Technology, Yokohama)
,
NOMURA E
(Tokyo Inst. Technology, Yokohama)
,
HORIE S
(Tokyo Inst. Technology, Yokohama)
,
WADA M
(Tokyo Inst. Technology, Yokohama)
,
SHIBATA M
(Tokyo Inst. Technology, Yokohama)
,
YOSHIMURA T
(Tokyo Inst. Technology, Yokohama)
,
UEMORI R
(Tokyo Inst. Technology, Yokohama)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 1 号： 1 ページ： 6-9 発行年： 1983年01月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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