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著者 (7件)：
資料名：
巻： 1988 ページ： 222-225 発行年： 1988年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902015928411116
整理番号：89A0350894
超高密度LSI用の高性能CMOSサラウンディングゲートトランジスタ(SGT)
High performance CMOS surrounding gate transistor(SGT) for ultra high density LSIs.
TAKATO H
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
SUNOUCHI K
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
OKABE N
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
NITAYAMA A
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
HIEDA K
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
HORIGUCHI F
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
MASUOKA F
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1988 ページ： 222-225 発行年： 1988年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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