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著者 (8件)：
資料名：
巻： 58 号： 4 ページ： 1643-1646 発行年： 1985年08月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902018899159835
整理番号：85A0513554
分子線エピタクシー成長のAlxGa1-xAsにおける低温光ルミネセンス
Low-temperature photoluminescence in AlxGa1-xAs grown by molecular beam epitaxy.
REYNOLDS D C
(Air Force Wright Aeronautical Lab., Ohio)
,
BAJAJ K K
(Air Force Wright Aeronautical Lab., Ohio)
,
LITTON C W
(Air Force Wright Aeronautical Lab., Ohio)
,
SINGH J
(Universal Energy Systems Inc., Ohio)
,
YU P W
(Wright State Univ., Ohio)
,
HENDERSON T
(Univ. Illinois)
,
PEARAH P
(Univ. Illinois)
,
MORKOC H
(Univ. Illinois)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 58 号： 4 ページ： 1643-1646 発行年： 1985年08月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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