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著者 (5件)：
資料名：
巻： 59 号： 1 ページ： 111-113 発行年： 1991年07月01日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902020492604189
整理番号：91A0659773
GaAs上InyGa1-yAs/InyAl1-yAs共鳴トンネルダイオード
InyGa1-yAs/InyAl1-yAs resonant tunneling diodes on GaAs.
WOLAK E
(Matsushita Electric Industiral Co., Ltd., Osaka, JPN)
,
HARMAND J C
(Matsushita Electric Industiral Co., Ltd., Osaka, JPN)
,
MATSUNO T
(Matsushita Electric Industiral Co., Ltd., Osaka, JPN)
,
INOUE K
(Matsushita Electric Industiral Co., Ltd., Osaka, JPN)
,
NARUSAWA T
(Matsushita Electric Industiral Co., Ltd., Osaka, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 59 号： 1 ページ： 111-113 発行年： 1991年07月01日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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