文献
J-GLOBAL ID:200902021815932128
整理番号:92A0499956
仮像的にひずませた半導体中の転位-転位相互作用の役割 I 理論
The role of dislocation-dislocation interactions in the relaxation of pseudomorphically strained semiconductors. I. Theory.
著者 (4件):
STIFFLER S R
(IBM Thomas J. Watson Research Center, New York)
,
STANIS C L
(IBM Thomas J. Watson Research Center, New York)
,
GOORSKY M S
(IBM Thomas J. Watson Research Center, New York)
,
CHAN K K
(IBM Thomas J. Watson Research Center, New York)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
71
号:
10
ページ:
4814-4819
発行年:
1992年05月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)