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著者 (4件)：
資料名：
巻： 81 号： 1/4 ページ： 237-242 発行年： 1987年02月02日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902024545574320
整理番号：87A0281950
GaAs上にヘテロエピタクシーで成長したInAs層の格子緩和
Lattice relaxation of InAs heteroepitaxy on GaAs.
MUNEKATA H
(IBM Thomas J. Watson Research Center, NY, USA)
,
CHANG L L
(IBM Thomas J. Watson Research Center, NY, USA)
,
WORONICK S C
(State Univ. New York at Stony Brook, NY, USA)
,
KAO Y H
(State Univ. New York at Stony Brook, NY, USA)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 81 号： 1/4 ページ： 237-242 発行年： 1987年02月02日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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