文献
J-GLOBAL ID:200902026665202012
整理番号:86A0153394
MASFETを使用した高密度GaAs SRAMプロセス
A high density GaAs static RAM process using MASFET.
著者 (6件):
KATO N
(Atsugi Electrical Communication Lab.)
,
HIRAYAMA M
(Atsugi Electrical Communication Lab.)
,
ASAI K
(Atsugi Electrical Communication Lab.)
,
MATSUOKA Y
(Atsugi Electrical Communication Lab.)
,
YAMASAKI K
(Atsugi Electrical Communication Lab.)
,
OGINO T
(Atsugi Electrical Communication Lab.)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
1985
ページ:
IEDM85,90-93
発行年:
1985年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)