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著者 (9件)：
資料名：
巻： 59 号： 3 ページ： 333-335 発行年： 1991年07月15日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902027277866339
整理番号：91A0678724
低傾角(0001)6H-SiCウエハ上への3C-SiCと6H-SiC膜の制御成長
Controlled growth of 3C-SiC and 6H-SiC films on low-tilt-angle vicinal (0001) 6H-SiC wafers.
POWELL J A
(NASA Lewis Research Center, Ohio)
,
PETIT J B
(NASA Lewis Research Center, Ohio)
,
EDGAR J H
(NASA Lewis Research Center, Ohio)
,
JENKINS I G
(NASA Lewis Research Center, Ohio)
,
MATUS L G
(NASA Lewis Research Center, Ohio)
,
YANG J W
(Case Western Reserve Univ., Ohio)
,
CHOYKE W J
(Univ. Pittsburgh, Pennsylvania)
,
CLEMEN L
(Univ. Pittsburgh, Pennsylvania)
,
YOGANATHAN M
(Univ. Pittsburgh, Pennsylvania)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 59 号： 3 ページ： 333-335 発行年： 1991年07月15日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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