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著者 (5件)：
資料名：
巻： 28 号： 7 ページ： 1235-1240 発行年： 1989年07月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902030917174782
整理番号：89A0470521
位相蓄積型光ディスク記憶用TeGeSnAu合金
TeGeSnAu alloys for phase change type optical disk memories.
OHNO E
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Moriguchi, JPN)
,
YAMADA N
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Moriguchi, JPN)
,
KURUMIZAWA T
(Matsushita Technoresearch Inc., Moriguchi, JPN)
,
KIMURA K
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Moriguchi, JPN)
,
TAKAO M
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Moriguchi, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 28 号： 7 ページ： 1235-1240 発行年： 1989年07月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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