文献
J-GLOBAL ID:200902033716416540
整理番号:92A0654283
荷電粒子による半導体の変換ドーピング レビュー
Transmutation doping of semiconductors by charged particles. (Review).
著者 (3件):
KOZLOVSKII V V
(State Technical Univ., St. Petersburg)
,
ZAKHARENKOV L F
(State Technical Univ., St. Petersburg)
,
SHUSTROV B A
(State Technical Univ., St. Petersburg)
資料名:
Soviet Physics. Semiconductors
(Soviet Physics. Semiconductors)
巻:
26
号:
1
ページ:
1-11
発行年:
1992年01月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
0038-5700
CODEN:
SPSEAX
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
文献レビュー
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)