文献
J-GLOBAL ID:200902034681071109
整理番号:90A0530587
有機金属分子線エピタクシ成長におけるInGaP,InAlPおよびAlGaPの温度依存性
Temperature dependence of InGaP, InAlP, and AlGaP growth in metalorganic molecular-beam epitaxy.
著者 (3件):
OZASA K
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
YURI M
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
MATSUNAMI H
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
102
号:
1/2
ページ:
31-42
発行年:
1990年04月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)