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著者 (6件)：
資料名：
巻： 27 号： 12 ページ： 7509-7523 発行年： 1983年06月15日
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902036721794357
整理番号：84A0030742
ドープした半導体の金属-絶縁体転移
Metal-insulator transition in a doped semiconductor.
ROSENBAUM T F
(Bell Lab., New Jersey)
,
MILLIGAN R F
(Bell Lab., New Jersey)
,
PAALANEN M A
(Bell Lab., New Jersey)
,
THOMAS G A
(Bell Lab., New Jersey)
,
BHATT R N
(Bell Lab., New Jersey)
,
LIN W
(Bell Lab., Pennsylvania)
資料名：
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics
(Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 27 号： 12 ページ： 7509-7523 発行年： 1983年06月15日
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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