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著者 (6件)：
資料名：
巻： 68 号： 4 ページ： 1726-1734 発行年： 1990年08月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902036779990652
整理番号：90A0786025
半導体性FeSi2薄膜の電子的性質
Electronic properties of semiconducting FeSi2 films.
DIMITRIADIS C A
(Maxz-Planck-Inst. Festkorperforschung, Stuttgart, DEU)
,
WERNER J H
(Maxz-Planck-Inst. Festkorperforschung, Stuttgart, DEU)
,
LOGOTHETIDIS S
(Maxz-Planck-Inst. Festkorperforschung, Stuttgart, DEU)
,
STUTZMANN M
(Maxz-Planck-Inst. Festkorperforschung, Stuttgart, DEU)
,
WEBER J
(Maxz-Planck-Inst. Festkorperforschung, Stuttgart, DEU)
,
NESPER R
(Maxz-Planck-Inst. Festkorperforschung, Stuttgart, DEU)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 68 号： 4 ページ： 1726-1734 発行年： 1990年08月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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