文献
J-GLOBAL ID:200902038279292820
整理番号:90A0243481
電力半導体素子の高周波用としての性能指数
Power semiconductor device figure of merit for high-frequency applications.
著者 (1件):
BALIGA B J
(North Carolina State Univ., NC)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
10
号:
10
ページ:
455-457
発行年:
1989年10月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)