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資料名：
巻： 30 号： 10A ページ： L1705-L1707 発行年： 1991年10月01日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902040349003205
整理番号：92A0119098
GaNバッファ層を使うGaNの成長
GaN Growth Using GaN Buffer Layer.
NAKAMURA S
(Nichia Chemical Industries, Ltd., Tokushima)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 30 号： 10A ページ： L1705-L1707 発行年： 1991年10月01日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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