文献
J-GLOBAL ID:200902040940573991
整理番号:90A0487351
Si(100)上のGeの転位のないStranski-Krastanov成長
Dislocation-free Stranski-Krastanow growth of Ge on Si(100).
著者 (2件):
EAGLESHAM D J
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
,
CERULLO M
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
資料名:
Physical Review Letters
(Physical Review Letters)
巻:
64
号:
16
ページ:
1943-1946
発行年:
1990年04月16日
JST資料番号:
H0070A
ISSN:
0031-9007
CODEN:
PRLTAO
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)