文献
J-GLOBAL ID:200902041025622707
整理番号:91A0557571
ニューロン・シリコン接合 絶縁ゲート電界効果型トランジスタ上ヒルのRetziusセル
A Neuron-Silicon Junction: A Retzius Cell of the Leech on an Insulated-Gate Field-Effect Transistor.
著者 (4件):
FROMHERZ P
(Univ. Ulm, Ulm-Eselsberg, DEU)
,
OFFENHAUSSER A
(Univ. Ulm, Ulm-Eselsberg, DEU)
,
VETTER T
(Univ. Ulm, Ulm-Eselsberg, DEU)
,
WEIS J
(Univ. Ulm, Ulm-Eselsberg, DEU)
資料名:
Science
(Science)
巻:
252
号:
5010
ページ:
1290-1293
発行年:
1991年05月31日
JST資料番号:
E0078A
ISSN:
0036-8075
CODEN:
SCIEA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)