文献
J-GLOBAL ID:200902042197048332
整理番号:81A0049811
高速モス構造論理ゲートアレイ
High-speed MOS gate array.
著者 (4件):
NAKAYA M
(Mitsubishi Electric Corp., Itami)
,
TOMISAWA O
(Mitsubishi Electric Corp., Itami)
,
OHKURA I
(Mitsubishi Electric Corp., Itami)
,
NAKANO T
(Mitsubishi Electric Corp., Itami)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
27
号:
8
ページ:
1665-1670
発行年:
1980年08月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)