文献
J-GLOBAL ID:200902042313610710
整理番号:84A0118927
イオンミリングあるいは反応性イオンエッチングによりSiに誘起された損傷
Damage induced in Si by ion milling or reactive ion etching.
著者 (5件):
PANG S W
(Massachusetts Inst. Technology)
,
RATHMAN D D
(Massachusetts Inst. Technology)
,
SILVERSMITH D J
(Massachusetts Inst. Technology)
,
MOUNTAIN R W
(Massachusetts Inst. Technology)
,
DEGRAFF P D
(Massachusetts Inst. Technology)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
54
号:
6
ページ:
3272-3277
発行年:
1983年06月
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)