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著者 (3件)：
資料名：
巻： 57 号： 5 ページ： 431-433 発行年： 1990年07月30日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902043557748663
整理番号：90A0765001
SF6中におけるSiの低温反応性イオンエッチング
Cryogenic reactive ion etching of silicon in SF6.
BESTWICK T D
(IBM Research Division, New York)
,
OEHRLEIN G S
(IBM Research Division, New York)
,
ANGELL D
(IBM Research Division, New York)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 57 号： 5 ページ： 431-433 発行年： 1990年07月30日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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